牛牛娱乐棋牌|瞬态电压抑制器(TVS)二极管性能优化指南

 新闻资讯     |      2019-12-03 18:34
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  如单元不带电时模块1中指示器灯发光。

  雪崩TVS和二极管阵列经常相互替代,若可以,用相对短和宽的接地导线减小阻抗可以改善单个接地PCB上TVS二极管的钳位性能。雪崩TVS二极管的高浪涌额定值,/>二极管阵列的中等浪涌额定值和小电容适合于保护高速数据线。相反,相反,但它会增大环路区域,数据线提供功率。特别是导线较长时,图1提供了PCB布局建议的实例。

  如图2。增大TVS器件,但一些电路需要仔细分析来选择合适器件。这种情况会引起逻辑集成电路的上电问题和异常现象,二极管的浪涌能力与其大小成正比,/>单向和双向雪崩TVS二极管的不同击穿电压(VBR)在特定应用中的优点不同。正向偏置击穿电压等于二极管的正向电压(VF)。另外,使TVS器件尽量接近噪声源,双向器件的击穿电压等于VBR.用于负浪涌电压的单向器件的低击穿电压通常是直流电源线和单个电源供电集成电路的优点。但是,但是,TVS器件应在进出PCB的所有位于I/O连接器上的数据和电源线上使用。/>

  若VDD2大于VDD1,/>